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　　化學氣相沉積設備的介紹：
 

　　采用雙溫區(qū)滑軌式CVD系統由雙溫區(qū)滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動并可實現快速升降溫；PLC控制5路質子流量器，能夠精確控制系統的供氣；真空泵可實現對管式爐快速抽真空。
 

　　化學氣相沉積設備的結構：
 

　　該設備采用雙層殼體并帶有風冷系統，使其爐體表面溫度都小于55℃，爐底安裝一對滑軌，可手動滑動，以便滿足特殊工藝的快速升降溫的求。 化學氣相沉積設備兩個加熱區(qū)的長度都是200mm分別由獨立的溫控系統控制。爐管內氣壓不可高于0.02MPa，當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態(tài)，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度<1100℃。對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生(如爐管破裂，法蘭飛出等)。